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產品搜索:

產品名稱: mda-400紫外(wai)光刻機
產品介紹:
品牌:韓國(guo)MIDAS
型號:MDA-400M
產地:韓國(guo)
價格(ge):面議(yi)
產品(pin)描述:
又名(ming):掩模對準曝光機(ji)(ji),曝光系統,光刻系統,光刻機(ji)(ji),紫外曝光機(ji)(ji)等;
    MIDAS為(wei)全球領先的(de)半(ban)導體設備(bei)(bei)供應商(shang),多年來致(zhi)力(li)于掩(yan)模對準光刻機和(he)勻膠機研發與(yu)生產,并且廣(guang)泛(fan)應用(yong)于半(ban)導體、微電子、生物器件(jian)和(he)納米科技領域;該公司是目前世界(jie)上(shang)最早將光刻機商(shang)品(pin)化(hua)的(de)公司之一,擁有雄厚的(de)技術研發力(li)量(liang)和(he)設備(bei)(bei)生產能力(li);并且其設備(bei)(bei)被眾多著名企業(ye)、研發中(zhong)心、研究所和(he)高校所采(cai)用(yong);以優秀的(de)技術、精湛的(de)工藝和(he)良好的(de)服務,贏(ying)得了(le)用(yong)戶的(de)青(qing)睞。
    此型(xing)號光(guang)刻機是所有進(jin)口設(she)備中性能(neng)價格比最高的型(xing)號,達到歐(ou)美品牌的對(dui)準(zhun)精(jing)度,CCD顯示屏對(dui)準(zhun)更為(wei)方便,液晶觸摸屏操(cao)作(zuo),采(cai)用(yong)歐(ou)司朗紫外(wai)燈(deng),壽命長。整機效果皮實耐用(yong)。
主要特點:
- 光(guang)源強度可控;
- 紫(zi)外曝光,深紫(zi)外曝光(Option);
- 系統控制:手(shou)動、半自(zi)動和全自(zi)動控制;
- 曝光模(mo)(mo)(mo)式:真空接觸(chu)模(mo)(mo)(mo)式(接觸(chu)力可調),Proximity接近模(mo)(mo)(mo)式, 投影模(mo)(mo)(mo)式;
- 真空吸盤(pan)范圍可(ke)調;
- 專利技術:可雙面(mian)對準,可雙面(mian)光刻,具有IR和CCD模式
- 兩個CCD顯微鏡系統,最大放大1000倍,顯示屏直接調節,比傳統目鏡對準更方便快捷,易于操作。
- 特殊的基底卡盤(pan)可定(ding)做;
- 具有楔(xie)形(xing)補(bu)償(chang)功能;

技術參數:
- 基片尺寸:4、6、8、12、25英寸,其他尺寸可定制;
- 光束均勻性:<±3%;
- 曝光時間可調范圍:0.1 to 999.9秒;
- 對準精度:0.6-1微米
- 分辨率:1微米;
- 光束輸出強度:15-25mW/cm2;


項目  技術規格 
曝光系統(Exposure System)
 
MDA-400M型
光源功率 350W UV Exposure Light source with Power supply
分辨率 - Vacuum Contact : 1um ( Thin PR@Si Wafer )
- Hard Contact : 1um
- Soft contact : 2um
- 20um Proximity: 5um
最大光束尺寸 4.25×4.25 inch
光束均勻性 ≤ ±3% (4inch standard)
光束強度 15~20mW/cm2 (365nm Intensity)
曝光時間可調整 0.1 to 999.9 sec
對準系統(Alignment System) 對準精度 1um
對準間隙 手動調節(數字顯示)
光刻模式 真空, 硬接觸, 軟接觸,漸進(Proximity)
卡盤水平調節 楔形錯誤補償Wedge Error Compensation
真空卡盤移動 X, Y: 10 mm, Theta: ±5°
Z向移動范圍 10mm
接近調整步幅 1um
樣品(Sample) 基底 Substrate 2, 3, 4 inch
掩模板尺寸 4 and 5 inch
Utilities 真空 Vacuum < -200 mbar (系統包含真空泵)
壓縮空氣 CDA > 5Kg/cm2
氮氣 N2 >3Kg/cm2
電源 Electricity 220V, 15A, 1Phase
顯微鏡及顯示器
CCD and Monitor
Dual CCD zoom microscope and LCD (17inch) monitor; Magnification : 80x ~ 1000x;


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